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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM850N06CX RFG
TSM850N06CX RFG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM850N06CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM850N06CX RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM850N06CX RFG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TSM850N06CX.pdf
État RoHS
En stock: 116220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM850N06CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM850N06CX RFG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM850N06CX RFG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM850  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX RFG

Attributs du produit TSM850N06CX RFG TSM900N06CW RPG TSM900N10CP ROG TSM900N06CP ROG
Modèle de produit TSM850N06CX RFG TSM900N06CW RPG TSM900N10CP ROG TSM900N06CP ROG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Tc) 4.17W (Tc) 50W (Tc) 25W (Tc)
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 11A (Tc) 15A (Tc) 11A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 30 V 500 pF @ 15 V 1480 pF @ 50 V 500 pF @ 15 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.3A, 10V 90mOhm @ 6A, 10V 90mOhm @ 5A, 10V 90mOhm @ 6A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base TSM850 TSM900 TSM900 TSM900
Package composant fournisseur SOT-23 SOT-223 TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V

Fiche technique TSM850N06CX RFG PDF

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Feuilles de données
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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